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　　财联社12月24日电，12英寸单片式碳化硅外延发展设备成功交付全球头部SiC外延晶片出产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、其独创的垂曲分流进气方案，工艺气体切确分区节制等手艺，同时设备配备了从动化上/下料模块及一键从动PM辅帮功能，大幅提拔颗粒节制能力和效率。